碳化矽 (SiC) 平板陶瓷膜
次世代薄膜過濾技術
AI 世代關鍵材料：碳化矽 (SiC)
碳化矽 (SiC) 屬第三代半導體之關鍵材料，廣泛應用於 AI 晶片、高效能運算與功率元件等高負載領域。其本質具備卓越的機械強度、耐磨耗、耐化學腐蝕與熱穩定性，能在極端操作條件下，長效維持結構與物化性質之恆定。
純靚科技憑藉深厚的薄膜應用與系統整合技術，將此先驅材料導入高科技工業水處理流程。碳化矽陶瓷濾膜能承受長時間高壓流體的剪切力與高濃度雜質累積，突破傳統高分子聚合物（如塑料或樹脂）易變形、劣化的物理瓶頸，確保系統在嚴苛環境中，依然維持絕對的過濾精度與運轉穩定度。
相較於傳統一次性消耗型濾材，碳化矽陶瓷濾膜可承受高強度之化學藥劑清洗與物理逆洗。此特性不僅大幅延長設備之最佳效能，更能有效降低非計畫性停機頻率，為工業水資源管理提供具備高度可靠性的長期解決方案。
碳化矽高溫燒結工藝
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碳化矽顆粒
混和碳化矽顆粒並擠壓成平板形狀
基底層
以高於2,200°C的溫度進行燒結
過濾層
碳化矽晶體附著於基底層表面後再次高溫燒結
碳化矽陶瓷濾膜
膜片兩端封蓋進行黏著後即為成品
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技術核心
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極端環境耐受
適用於pH值：0-14 與高溫環境。具備頂尖機械強度，無懼高壓流體剪切力與高濃度懸浮固體沖刷，結構恆定、無化學降解風險。
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模組化與空間配置彈性
採用模組化設計，賦予系統優異的擴展性。針對廠房佔地面積受限之案場，膜組可進行垂直堆疊，構築高密度過濾塔。工程團隊可依既有廠區之空間條件，靈活規劃為高塔式或低層廣布之矩陣陣列，極大化土地使用效率。
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低跨膜壓差與高通量
碳化矽極佳的親水性結合不對稱孔隙之結構，大幅降低流體穿透阻力。於極低跨膜壓差條件下，即可維持長時間的高通量與精密分離效能。
應用領域
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科技產業-晶背研磨(BG)廢液
針對研磨顆粒之高硬度懸浮固體，碳化矽平板陶瓷膜展現卓越之耐磨耗特性，能有效攔截雜質，並作為廠區超純水 系統或廢水回收之高階前處理屏障，大幅延長後端逆滲透膜之壽命，確保廠務端之連續穩定運轉。
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電子零件業-印刷電路板 (PCB) 製程廢水
在處理製程所產生的金屬微粒與粉屑時，碳化矽材料因具備極高機械硬度，能有效抵抗顆粒衝擊與物理磨耗。於攔截與濃縮重金屬固體顆粒的過程中，可承受高密度金屬顆粒在高壓流體中的持續沖刷，避免遭金屬顆粒穿刺或破損的問題，其穩定的固液分離性能，不僅可維持出水水質穩定，亦有利於後續金屬資源的濃縮與回收。
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自來水公司-高濁度地下水
突破傳統砂濾池與高分子濾膜易污堵、壽命短之物理限制。碳化矽的親水特性於極低跨膜壓差下即可提供穩定之高通量。濾除水中懸浮微粒、膠體與鐵錳氧化物，為偏遠地區的淨水場提供水質穩定且低營運成本之可靠水源。
海水淡化 RO 前處理系統，以及工業、科學園區與水資源回收中心之 MBR 系統
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其他應用